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產品分類：【UTC_友順半導體】
50N06 數據表 50 安培、60 伏 N 溝道功率 MOSFET 描述 UTC 50N06是三端硅器件，導流 能力約為50A，開關速度快。低導通電阻、60V 的再擊穿電壓額定值和4 伏的最大閾值電壓。 主要適用于電子鎮流器和小功率開關式功率電器。 特征 * RDS(ON) = 23mΩ@VGS = 10V * 超低柵極電荷（典型值 30 nC） * 低反向傳輸電容（CRSS = 典型值 80 pF） * 快速切換能力 * 指定 100% 雪崩能量 * 改進的 dv/dt 能力
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