場效應晶體管MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），即金屬氧化物半導體場效應管，屬于絕緣柵型。它的主要特點是在金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有非常高的輸入電阻（高達1015Ω）。又分為N溝道管和P溝道管。通常，襯底（substrate）和源極S連接在一起。根據導通方式的不同，MOSFET分為增強型和耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時，管子處于截止狀態。添加正確的VGS后，大部分載流子被吸引到柵極，從而“增強”該區域的載流子，形成導電溝道。.
以N溝道為例，在P型硅襯底上形成兩個高摻雜的源極擴散區N+和漏極擴散區N+，然后分別引出源極S和漏極D。源極和襯底內部相連，兩者始終保持同電位。當漏極接電源正極，源極接電源負極且VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，在正柵極電壓的吸引下，在兩個擴散區之間感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道。當VGS大于管子導通電壓VTN（一般為+2V左右）時